Outline Matakuliah
Teknologi Rangkaian Terintegrasi

 Cuaca di Surabaya
Serambi KAMPUS
Serambi DEPAN

Universitas Bhayangkara Surabaya

 		Dosen
Jam Konsultasi
Jam Kuliah
Tujuan Kuliah
Materi Kuliah
Referensi
Evaluasi
Satuan Acara Kuliah
Dosen

Iskandar Zulkarnain

Tel : (031) 594-0412
Fax : (031) 593-1237
E-mail :
zkarnain@rad.net.id
zkarnain@indosat.net.id

Consulting Hours

Sesudah kuliah selama 1/2 jam

Jam Kuliah

Hari : Selasa
Pukul : 07.00
Ruang kelas : 203

Tujuan Kuliah

Tujuan kuliah Teknologi Rangkaian Terpadu adalah agar para mahasiswa mendalami teknologi proses pembuatan rangkaian terintegrasi (IC)

Materi Kuliah

Untuk mencapai tujuan kuliah seperti tertera di atas tadi, kuliah Teknologi Rangkaian Terpadu yang akan diberikan meliputi pokok-pokok sebagai berikut.
  1. Proses fabrikasi/pembuatan rangkaian terpadu (IC) : fotolitografi, oksidasi, difusi, implantasi ion, chemical vapor deposition (CVD), evaporasi, cara etching
  2. Pembuatan masker, tata letak, aturan perancangan
  3. Simulasi perancangan dan pembuatan dengan komputer.

Referensi

VLSI TECHNOLOGY (Second Printing, 1984)
Author : S.M. Sze
Publisher : McGraw-Hill International Book company
ISBN : 0-07-Y66594-X

INTEGRATED CIRCUIT ENGINEERING (Second Printing, 1979)
Author : Arthur B. Glaser and Gerald E. Subak-Sharpe
Publisher : Addison-Wesley Publishing Company
ISBN : 0-201-07427-3

FISIKA DAN TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR
Author : S. Reka Rio and Masamori Iida
Publisher : PT Pradnya Paramita

MICROELCTRONIC PROCESSING
Author : W. Scot Ruska
Publisher : McGraw-Hill Book Company

INTEGRATED ELECTONICS
Author : Jacob Millman and Christos C. Halkias
Publisher : McGraw-Hill Book Company

Evaluasi

Ujian tengah semester 30 persen
Ujian akhir semester 70 persen
Total: 100 persen

[ menu ]

General Policies
  • Students are expected to attend all lectures
  • Each Student is expected to prepare a pre-lab report before doing the lab
  • Students are encouraged to work together for doing all the course work except quizs and exams
  • Students are expected to respect the Academic Regulation concerning scholastic dishonesty
  • Attendence at labs, quizs, final exam is mandatory for all students
  • Students are encouraged to contact the instructor on a regular bases
  • All the quizs, and the final exam will be closed book
  • A calculator and a letter size reference sheet will be allowed in all the tests
  • Assignment solutions will be available in the Engineering Library

    [ menu ]

    Policy on Test/Lab Missed for Legitimate Reasons

     One missed test : Marks for all other evaluations will be totaled and scaled to 100%.
    Two missed tests : One re-test will be given and policy for one missed test will then be applied
    Missed labs : Make-up labs wherever possible. Else remaining labs will be scaled to 16%

    [ menu ]



    Course Glossary
    This section will be developed as the course continues

    [ 02/12 ] [ 09/12 ] [ 16/12 ] [ 23/12 ] [ 30/12 ]
    [ 04/11 ] [ 11/11 ] [ 18/11 ] [ 25/11 ]
    [ 07/10 ] [ 14/10 ] [ 21/10 ] [ 28/10 ]

    [ menu ]

    09 Desember 1997
    This section will be developed as the course continues

    02 Desember 1997
    This section will be developed as the course continues

    25 Novvember 1997
    This section will be developed as the course continues

    18 November 1997
    This section will be developed as the course continues



    [ menu ]

    11 November 1997
    This section will be developed as the course continues



    04 November 1997
    This section will be developed as the course continues

    [ menu ]



    28 Oktober 1997
    This section will be developed as the course continues

    [ menu ]



    21 Oktober 1997
    This section will be developed as the course continues

    DIFUSI
    Elemen yang kan ditambahkan ke dalam semikonduktor untuk merubah sifat listriknya dinamakan dopant. Metoda penambahan dopant biasanya dengan proses difusi. Permukaan semikonduktor itu dipanasi bersama dengan persenyawaan yang mengandung dopant yang diinginkan. Dengan suhu yang cukup tinggi dopant itu akan berdifusi ke dalam semikonduktornya. Jadi, untuk mendifusikan dopant harus ada sumber dopant (termasuk peralatan untuk menyalurkan dopant itu ke permukaan subtrat), dan sebuah tungku untuk memberikan panas yang diperlukan. Difusi dopant ke dalam substrat semikonduktor terjadi karena ada perpindahan dopant dari permukaan substrat yang penuh dengan dopant masuk ke bagian dalam yang kurang dopant. Maka dikatakan bahwa difusi itu terjadi dikarenakan adanya concentration gradient.

    This section is under continuous construction

    [ menu ]



    14 Oktober 1997
    This section will be developed as the course continues

    TEKNOLOGI RANGKAIAN TERPADU
    Dalam fabrikasi sebuah IC, wafer-wafer silikon akan dipotong-potong menjadi banyak chip IC mengalami sekitar ratusan langkah pengolahan individual misalnya prosedur pencucian secara kimiawi, pembilasan, dll. Seluruh langkah ini, tentu saja, penting; tapi, pemahaman mengenai urutan itu secara terperinci tidak perlu semuanya dibahas disini. Melainkan, yang dibahas hanya langkah-langkah yang penting-penting saja dalam pengolahan itu, dan pada tahap ini yang diperlukan hanya pemahaman langkah-langkah secara kualitatif dan tidak mendalam. Hal ini dapat dipelajari dengan mengamati diagaram blok dibawah ini, yang menggambarkan urutan pengolahan itu berlangsung, dan gambar berikutnya memperlihatkan penampang transistor npn tipikal sesuai dengan urutannya. Proses dimulai dengan pembuatan ingot (batang) silikon kristal tunggal. Ada beberapa cara untuk mendapatkan ingot seperti itu; tapi, proses yang sering dipakai dewasa ini terdiri dari penarikan kristal dari lelehan silikon yang sudah didoping. Dari proses penarikan kristal itu diperoleh kristal yang berbentuk silinder dengan bermacam-macam diameter mulai dari 3/4 sampai 4 inci, tergantung dari kecepatan tariknya, suhu lebur, dan faktor-faktor eksternal lain yang dapat terkontrol. Kristal itu telah didoping jenis-p dengan jalan memberikan sedikit atom impuriti, misalnya boron, pada lelehan itu. Selanjutnya kristal itu dipotong-potong menjadi wafer-wafer yang tipis. Wafer-wafer itu kemudian dipoles dengan hati-hati sehingga menjadi seperti cermin yaitu pertama dengan jalan menggosok wafer itu secara mekanis, dan kemudian memolesnya dengan grit yang halus, dan diakhiri dengan memoles secara gabungan mekanis-kimiawi sehingga menghasilkan permukaan yang bebas goresan dan cacat.

    [ menu ]



    07 Oktober 1997
    This section will be developed as the course continues

    PENDAHULUAN
    Sebuah rangkaian terpadu (IC) terdiri dari chip silikon kristal tunggal, biasanya berpenampang 50 kali 50 mil, mengandung komponen aktif dan pasif serta interkoneksinya. IC itu difabrikasi dengan proses yang sama dengan fabrikasi dioda dan transistor diskrit. Prosesnya meliputi pertumbuhan epitaksial, difusi impuriti dengan masker, pertumbuhan oksida, dan pengikisan oksida dengan photolythography untuk pembentukan polanya.

    [ menu ]



    Serambi KAMPUS